1、硅烷(SiH4)：有毒。硅烷在半导体工业中首要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆触摸层和异质或同质硅外延成长质料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

    2、锗烷(GeH4)：剧毒。金属锗是一种杰出的半导体资料，锗烷在电子工业中首要用于化学气相淀积，构成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制作。

    3、磷烷(PH3)：剧毒。首要用于硅烷外延的掺杂剂，磷分散的杂有机膨润土一流变助剂质源。一起也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP资料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃(PSG)钝化膜制备等工艺中。

    4、砷烷(AsH3)：剧毒。首要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

    5、氢化锑(SbH3)：剧毒。用作制作n型硅半导体时的气相掺杂剂。

    6、乙硼烷(B2H6)：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化分散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃有机膨润土一流变助剂料。

    7、三氟化硼(BF3)：有毒，极强刺激性。首要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。

    8、三氟化氮(NF3)：毒性较强。首要用于化学气相淀积(CVD)设备的清洗。三氟化氮能够独自或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻;NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。

    9、三氟化磷(PF3)：有机膨润土一流变助剂毒性极强。作为气态磷离子注入源。

    10、四氟化硅(SiF4)：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。首要用于氮化硅(Si3N4)和硅化钽(TaSi2)的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延堆积分散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的质料。

    11、五氟化磷(PF5)：在湿润的空气中发生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。

    12、四氟化碳(CF4)：作为等离子蚀刻工艺中常用的作业气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀有机膨润土一流变助剂刻剂。

    13、六氟乙烷(C2H6)：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。

    14、全氟原盐中硫酸根含量到达多少时会对离子膜形成损坏?怎样核算?丙烷(C3F8)：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。

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